1. সিলিকন ভিত্তিক LED-এর বর্তমান সামগ্রিক প্রযুক্তিগত অবস্থার ওভারভিউ

সিলিকন সাবস্ট্রেটগুলিতে GaN উপকরণের বৃদ্ধি দুটি বড় প্রযুক্তিগত চ্যালেঞ্জের মুখোমুখি।প্রথমত, সিলিকন সাবস্ট্রেট এবং GaN-এর মধ্যে 17% পর্যন্ত জালির অমিলের ফলে GaN উপাদানের অভ্যন্তরে উচ্চতর স্থানচ্যুতি ঘনত্ব দেখা দেয়, যা লুমিনেসেন্সের কার্যকারিতাকে প্রভাবিত করে;দ্বিতীয়ত, সিলিকন সাবস্ট্রেট এবং GaN-এর মধ্যে 54% পর্যন্ত তাপীয় অমিল রয়েছে, যা GaN ফিল্মগুলিকে উচ্চ-তাপমাত্রা বৃদ্ধির পরে ক্র্যাক করার প্রবণ করে তোলে এবং ঘরের তাপমাত্রায় নেমে যায়, যা উত্পাদন ফলনকে প্রভাবিত করে।অতএব, সিলিকন সাবস্ট্রেট এবং GaN পাতলা ফিল্মের মধ্যে বাফার স্তরের বৃদ্ধি অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।বাফার স্তর GaN এর ভিতরে স্থানচ্যুতি ঘনত্ব কমাতে এবং GaN ক্র্যাকিং কমাতে ভূমিকা পালন করে।অনেকাংশে, বাফার স্তরের প্রযুক্তিগত স্তর LED এর অভ্যন্তরীণ কোয়ান্টাম দক্ষতা এবং উত্পাদন ফলন নির্ধারণ করে, যা সিলিকন-ভিত্তিক ফোকাস এবং অসুবিধাএলইডি.এখন পর্যন্ত, শিল্প এবং একাডেমিয়া উভয়ের গবেষণা এবং উন্নয়নে উল্লেখযোগ্য বিনিয়োগের সাথে, এই প্রযুক্তিগত চ্যালেঞ্জটি মূলত অতিক্রম করা হয়েছে।

সিলিকন সাবস্ট্রেট দৃঢ়ভাবে দৃশ্যমান আলো শোষণ করে, তাই GaN ফিল্মকে অন্য সাবস্ট্রেটে স্থানান্তর করতে হবে।স্থানান্তরের আগে, GaN ফিল্ম এবং অন্যান্য সাবস্ট্রেটের মধ্যে একটি উচ্চ প্রতিফলন প্রতিফলক ঢোকানো হয় যাতে GaN দ্বারা নির্গত আলোকে সাবস্ট্রেট দ্বারা শোষিত হতে না পারে।সাবস্ট্রেট স্থানান্তরের পরে এলইডি কাঠামো শিল্পে একটি পাতলা ফিল্ম চিপ হিসাবে পরিচিত।পাতলা ফিল্ম চিপগুলির বর্তমান প্রসারণ, তাপ পরিবাহিতা এবং স্পট অভিন্নতার ক্ষেত্রে প্রচলিত আনুষ্ঠানিক কাঠামোর চিপগুলির তুলনায় সুবিধা রয়েছে।

2. সিলিকন সাবস্ট্রেট LED-এর বর্তমান সামগ্রিক প্রয়োগের অবস্থা এবং বাজারের ওভারভিউ

সিলিকন ভিত্তিক এলইডিগুলির একটি উল্লম্ব কাঠামো, অভিন্ন বর্তমান বন্টন এবং দ্রুত প্রসারণ রয়েছে, যা উচ্চ-শক্তি প্রয়োগের জন্য উপযুক্ত করে তোলে।এর একক-পার্শ্বযুক্ত আলোর আউটপুট, ভাল দিকনির্দেশনা এবং ভাল আলোর গুণমানের কারণে, এটি মোবাইল আলোর জন্য বিশেষভাবে উপযুক্ত যেমন স্বয়ংচালিত আলো, সার্চলাইট, মাইনিং ল্যাম্প, মোবাইল ফোনের ফ্ল্যাশ লাইট এবং উচ্চ আলোর মানের প্রয়োজনীয়তা সহ উচ্চ-প্রান্তের আলোর ক্ষেত্রে। .

Jingneng Optoelectronics সিলিকন সাবস্ট্রেট LED এর প্রযুক্তি এবং প্রক্রিয়া পরিণত হয়েছে।সিলিকন সাবস্ট্রেট ব্লু লাইট এলইডি চিপগুলির ক্ষেত্রে অগ্রণী সুবিধাগুলি বজায় রাখার ভিত্তিতে, আমাদের পণ্যগুলি আলোর ক্ষেত্রে প্রসারিত হতে থাকে যেগুলির জন্য দিকনির্দেশক আলো এবং উচ্চ মানের আউটপুট প্রয়োজন, যেমন সাদা আলোর এলইডি চিপগুলি উচ্চ কার্যকারিতা এবং অতিরিক্ত মান সহ , LED মোবাইল ফোন ফ্ল্যাশ লাইট, LED গাড়ির হেডলাইট, LED রাস্তার আলো, LED ব্যাকলাইট, ইত্যাদি, ধীরে ধীরে সেগমেন্টেড শিল্পে সিলিকন সাবস্ট্রেট LED চিপগুলির সুবিধাজনক অবস্থান স্থাপন করে।

3. সিলিকন স্তর LED উন্নয়ন প্রবণতা পূর্বাভাস

আলোর দক্ষতার উন্নতি, খরচ কমানো বা খরচ-কার্যকারিতা একটি চিরন্তন থিমLED শিল্প.সিলিকন সাবস্ট্রেট পাতলা ফিল্ম চিপগুলি প্রয়োগ করার আগে অবশ্যই প্যাকেজ করা উচিত, এবং প্যাকেজিংয়ের খরচ LED অ্যাপ্লিকেশন খরচের একটি বড় অংশের জন্য দায়ী।ঐতিহ্যগত প্যাকেজিং এড়িয়ে যান এবং সরাসরি ওয়েফারের উপাদানগুলি প্যাকেজ করুন।অন্য কথায়, ওয়েফারে চিপ স্কেল প্যাকেজিং (সিএসপি) প্যাকেজিংয়ের প্রান্তটি এড়িয়ে যেতে পারে এবং চিপ প্রান্ত থেকে সরাসরি অ্যাপ্লিকেশন এন্ডে প্রবেশ করতে পারে, LED এর প্রয়োগের খরচ আরও কমিয়ে দেয়।সিএসপি হল সিলিকনে GaN ভিত্তিক LED-এর সম্ভাবনার মধ্যে একটি।তোশিবা এবং স্যামসাং-এর মতো আন্তর্জাতিক সংস্থাগুলি CSP-এর জন্য সিলিকন ভিত্তিক এলইডি ব্যবহার করার কথা জানিয়েছে এবং এটি বিশ্বাস করা হয় যে সংশ্লিষ্ট পণ্যগুলি শীঘ্রই বাজারে পাওয়া যাবে৷

সাম্প্রতিক বছরগুলিতে, LED শিল্পের আরেকটি হট স্পট হল মাইক্রো LED, যা মাইক্রোমিটার লেভেল LED নামেও পরিচিত।মাইক্রো এলইডির আকার কয়েক মাইক্রোমিটার থেকে দশ মাইক্রোমিটার পর্যন্ত, প্রায় একই স্তরে এপিটাক্সি দ্বারা উত্থিত GaN পাতলা ফিল্মের পুরুত্বের সমান।মাইক্রোমিটার স্কেলে, GaN উপকরণগুলিকে সমর্থনের প্রয়োজন ছাড়াই সরাসরি উল্লম্বভাবে কাঠামোবদ্ধ GaNLED তৈরি করা যেতে পারে।অর্থাৎ, মাইক্রো এলইডি তৈরির প্রক্রিয়ায়, ক্রমবর্ধমান GaN-এর জন্য সাবস্ট্রেটটি অবশ্যই অপসারণ করতে হবে।সিলিকন ভিত্তিক LED-এর একটি প্রাকৃতিক সুবিধা হল যে সিলিকন সাবস্ট্রেট শুধুমাত্র রাসায়নিক ভেজা এচিং দ্বারা অপসারণ করা যেতে পারে, অপসারণের প্রক্রিয়া চলাকালীন GaN উপাদানের উপর কোন প্রভাব না ফেলে, ফলন এবং নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করে।এই দৃষ্টিকোণ থেকে, সিলিকন সাবস্ট্রেট LED প্রযুক্তি মাইক্রো LEDs ক্ষেত্রে একটি স্থান থাকতে বাধ্য।